fowler nordheim tunneling 原理
F-N穿隧與直接穿隧最不同之處就在於會隨著元件的操作電壓上升，而使.穿隧發生的機率上升。我們使用TCAD模擬軟體，利用閘極電壓將電子充進氮化層後，再將所有的偏壓歸零 ...,,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件...
半導體中的隧道效應
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半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunnelingeffect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。
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